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Comparaison VRM
| Quelle carte mère dispose des meilleures VRM ? | ||||||||||||||
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| Total des votes : 1 | ||||||||||||||
Posté le: 19 août 2024 à 09:26 
Bonjour, je me suis rendu que j'en savais peu au sujet des VRM. Vos réponses m'aideront à répondre à une autre personne et à parfaire ma propre culture hardware.
Dans un premier temps, je souhaiterais connaître les différence entre les VRM de ces deux cartes mères :
- La MSI H610m-G (ddr4)
- La MSI B760m-P (ddr4)
La première semble disposer de 8+1+1 phases.
Pour la seconde, si je ne fais pas d'erreur, 6+2 phases.
Ci-dessous les photos de des cartes mères cités :
https://media.ldlc.com/r1600/ld/products/00/05/92/72/LD0005927282_1.jpg
https://media.ldlc.com/r1600/ld/products/00/06/00/46/LD0006004647.jpg
Selon vous, laquelle est la mieux dotée en terme de VRM ?
Enfin et plus largement, au delà du nombre de phases, quels éléments faut-il prendre en compte pour évaluer la qualité des VRM d'une carte mère ?
Une Gigabyte B760m DS3H qui dispose de 6+2+1 phases dites "hybrides" a t-elle des VRM de meilleure qualité que les deux MSI ?
Merci à vous par avance.
Dans un premier temps, je souhaiterais connaître les différence entre les VRM de ces deux cartes mères :
- La MSI H610m-G (ddr4)
- La MSI B760m-P (ddr4)
La première semble disposer de 8+1+1 phases.
Pour la seconde, si je ne fais pas d'erreur, 6+2 phases.
Ci-dessous les photos de des cartes mères cités :
https://media.ldlc.com/r1600/ld/products/00/05/92/72/LD0005927282_1.jpg
https://media.ldlc.com/r1600/ld/products/00/06/00/46/LD0006004647.jpg
Selon vous, laquelle est la mieux dotée en terme de VRM ?
Enfin et plus largement, au delà du nombre de phases, quels éléments faut-il prendre en compte pour évaluer la qualité des VRM d'une carte mère ?
Une Gigabyte B760m DS3H qui dispose de 6+2+1 phases dites "hybrides" a t-elle des VRM de meilleure qualité que les deux MSI ?
Merci à vous par avance.
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Posté le: 19 août 2024 à 11:15
pour moi tu te pose pas la question de la bonne façon : les vrm/cm/proc c'est un tout qui doit être cohérent :
2 exemples :
-maxi cm et donc maxi vrm mais pour monter un proc en 65w = argent "jeté par les fenêtres" ça marchera mais gâchis sauf a prévoir évolution future vers gros proc et/ou oc.
-a l'inverse mini cm-mini vrm pour monter un monstre cpu amd ou surtout intel avec en + des envies d'overclock = ça risque de merder /casser.
après pour les modèles que tu cites, j'ai pas regardé je laisse la parole aux collègues.
2 exemples :
-maxi cm et donc maxi vrm mais pour monter un proc en 65w = argent "jeté par les fenêtres" ça marchera mais gâchis sauf a prévoir évolution future vers gros proc et/ou oc.
-a l'inverse mini cm-mini vrm pour monter un monstre cpu amd ou surtout intel avec en + des envies d'overclock = ça risque de merder /casser.
après pour les modèles que tu cites, j'ai pas regardé je laisse la parole aux collègues.
Posté le: 19 août 2024 à 12:52
Merci pour ta réponde mais j'ai bien conscience de ce que tu m'expliques. Ce n'est donc pas la bonne façon de poser la question, ni d'y répondre.
Ma question est plus théorique. Je cherche davantage des explications générales sur les VRM et leurs qualités, les phases d'alimentation etc.
Ma question est plus théorique. Je cherche davantage des explications générales sur les VRM et leurs qualités, les phases d'alimentation etc.
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iYo13 @
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Posté le: 19 août 2024 à 15:14
Bonjour,
Pour répondre à ta question sans faire de tests précis : aucune des deux.
Pour départager les deux CM il faudrait connaitre les composants utilisés par MSI (qui peuvent même changer selon la période de production) et les paramètres utilisés par les BIOS.
Autant dire que c'est plus simple d'acheter les deux carte et de les comparer.
Dans le doute je dirais que la B760 est probablement mieux équipée car conçue pour dès le départ pour des CPU plus consommateurs mais c'est tout.
D'ailleurs la B610 c'est du 6 phases dont 2 pour le CPU (donc 4+2) avec 2 MOSFETs par phase, ça donne 110 W disponible pour le CPU. Avec les VRM à 105~110°C dans un boitier pour 110 W on est pas à l'aise. Selon le test de Tom's hardware ça peut limiter les performances d'un gros CPU jusqu'à 60%.
Je n'ai pas trouvé de tests de la B760 mais ça ne peut pas être pire. Enfin sans radiateur ça ne peut pas être parfait non plus. Selon un type sur Reddit elle se couche à 130 W. C'est pas dingue non plus la grande majorité des CPU compatible vont devoir limiter leur turbo dans ces conditions.
La Gigabyte semble bien mieux conçu au niveau des VRM, déjà elle a un radiateur. Le terme "hybrid" utilisé par GB est marketing avant tout, c'est juste pour signaler qu'il y a plusieurs MOSFETs par phase dans mon souvenir.
J'ai préparé une petite explication au sujet des VRM et de leurs phase. Je devrait pouvoir la poster ce soir.
La vie manque de raccourcis clavier.
Pour répondre à ta question sans faire de tests précis : aucune des deux.
Pour départager les deux CM il faudrait connaitre les composants utilisés par MSI (qui peuvent même changer selon la période de production) et les paramètres utilisés par les BIOS.
Autant dire que c'est plus simple d'acheter les deux carte et de les comparer.
Dans le doute je dirais que la B760 est probablement mieux équipée car conçue pour dès le départ pour des CPU plus consommateurs mais c'est tout.
D'ailleurs la B610 c'est du 6 phases dont 2 pour le CPU (donc 4+2) avec 2 MOSFETs par phase, ça donne 110 W disponible pour le CPU. Avec les VRM à 105~110°C dans un boitier pour 110 W on est pas à l'aise. Selon le test de Tom's hardware ça peut limiter les performances d'un gros CPU jusqu'à 60%.
Je n'ai pas trouvé de tests de la B760 mais ça ne peut pas être pire. Enfin sans radiateur ça ne peut pas être parfait non plus. Selon un type sur Reddit elle se couche à 130 W. C'est pas dingue non plus la grande majorité des CPU compatible vont devoir limiter leur turbo dans ces conditions.
La Gigabyte semble bien mieux conçu au niveau des VRM, déjà elle a un radiateur. Le terme "hybrid" utilisé par GB est marketing avant tout, c'est juste pour signaler qu'il y a plusieurs MOSFETs par phase dans mon souvenir.
J'ai préparé une petite explication au sujet des VRM et de leurs phase. Je devrait pouvoir la poster ce soir.
La vie manque de raccourcis clavier.
Posté le: 19 août 2024 à 18:09
Merci à toi.
La H610M-G est vendue comme disposant de 8+1+1 phases ici : https://www.amazon.ca/-/fr/H610M-G-DDR4-g%C3%A9n%C3%A9ration-socket-emplacements/dp/B09PX326Q8
C'est une fiche amazon donc ça vaut que ça vaut mais c'est la seule info que j'ai trouvé.
La H610M-G est vendue comme disposant de 8+1+1 phases ici : https://www.amazon.ca/-/fr/H610M-G-DDR4-g%C3%A9n%C3%A9ration-socket-emplacements/dp/B09PX326Q8
C'est une fiche amazon donc ça vaut que ça vaut mais c'est la seule info que j'ai trouvé.
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Posté le: 19 août 2024 à 18:37
https://www.tomshardware.com/reviews/h610-roundup-review/3
Il y a bien 8+1+1 MOSFET mais ils travaillent pour 4+1+1 phases (CPU+RAM+reste). Le marketing est souvent "ambitieux" (pour ne pas dire menteur) pour les CM entrée de gamme. Chacun des MOFSET n'est pas capable de fournir assez pour alimenter les CPU LGA1700 donc ils sont doublés dans chaque phase.
J'edit ce post pour les VRM dans la soirée
Edit :
Voici donc plus de détail sur les bases du fonctionnement des VRM et les différentes variations.
VRM = Voltage Regulation Module ou module régulateur de tension en français.
C'est donc le système qui contrôle la tension délivrée à un composant.
On s'en préoccupe surtout pour les CPU et GPU car ils sont les plus exigeants à alimenter. Tant par la quantité de puissance à fournir que pour les variations de courants à accommoder.
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''''
''''
Les VRM sont dans le principe (très) simplifié des alimentations à découpage capable d'abaisser la tension en découpant celle d'entrée en petites charges à l'aide d'un interrupteur et d'un condensateur. Ce découpage est nécessaire au fonctionnement et il n'est pas vraiment possible pour l'interrupteur de rester longtemps ouvert pour augmenter la quantité de courant qui passe.
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''''
''''
Plus la fréquence de découpage est élevée plus la charge à stocker dans le condensateur est réduite et plus on peut réduire sa taille et son coût. Idéalement, la fréquence est donc la plus élevée possible, mais les MOSFETs utilisés comme interrupteurs ont quand même besoin d'un peu de temps pour changer d'état.
--------------------------------------
''''
''''
Deuxième limite, le courant que peut laisser passer un unique MOSFET est limité, car une partie de ce courant est perdue dans le MOSFET entrainant un échauffement. On voit régulièrement des MOSFETs aisément au-delà de 100~110°C par exemple.
Comme on ne peut ni faire passer trop de courant d'un coup ni laisser le MOSFET ouvert trop longtemps, ni pas assez, il faut ruser.
Pour ça, on va utiliser plusieurs phases fonctionnant chacune à leur tour. Ainsi, avec 4 phases, chacune d'entre elle peut fonctionner à sa fréquence normale, mais la fréquence apparente est quatre fois plus élevée. Également la chaleur à dissiper est divisé entre les 4 phases.
--------------------------------------
En prenant la MSI H160 comme exemple elle dispose de 4 phases capables de fournir 2x55 A à leur régime maximum on obtient donc 440 A. Réglé à 1,2 V cela fait donc 528 W disponibles théoriquement.
Mais dans la pratique ces MOSFET ne sont capables de laisser circuler 55 A que s'ils sont refroidis à 25°C. Ce qui est irréaliste pour des MOSFETs montés proche les uns des autres dans un boitier. Dans la pratique à 35°C d'air ambiant dans le boitier, ce qui est déjà assez frais, la fiche technique donne 15 A disponible par MOSFET.
En refaisant le calcul on obtient 4x2x15=120 A, ou 144 W avec 1,2 V. Si la CM laissait la consommation du CPU et les VRM monter au-delà les températures pourrait devenir dangereuse. La MSI H610 limite donc à 110 W pour protéger le PC, en échange elle sacrifie les performances des CPU milieu ou haut de gamme.
--------------------------------------
Maintenant que l'on arrive à fournir la quantité de courant appropriée, il faut répondre à la grande question : comment faire pour que les VRM fournissent la tension réclamée ?
En reprenant nos schémas que l'on a fortement dézoomés :
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Comment éviter que la tension parte dans un sens ou dans l'autre ?
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'''
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Il existe aujourd'hui deux grandes familles de contrôles, analogique ou numérique.
Dans un VRM analogique la tension de sortie du VRM est comparée à la tension de référence grâce à un transistor. Si la tension est trop faible le transistor va commander une augmentation du temps que les MOSFET passent ouverts à chacun de leurs cycles et ainsi la tension remonte.
Avec des bons composants un VRM analogique peut être très précis et très réactif aux variations de courant et de tensions réclamés par le CPU.
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Dans un VRM numérique un DAC mesure en permanence la tension de sortie du VRM et utilise un micro-contrôleur dédié pour ajuster les cycles des MOSFETs directement. Ainsi ce contrôleur peut utiliser des informations venant du CPU pour s'ajuster en direct, voir à l'avance, aux variations de puissance exigées.
La vie manque de raccourcis clavier.
Il y a bien 8+1+1 MOSFET mais ils travaillent pour 4+1+1 phases (CPU+RAM+reste). Le marketing est souvent "ambitieux" (pour ne pas dire menteur) pour les CM entrée de gamme. Chacun des MOFSET n'est pas capable de fournir assez pour alimenter les CPU LGA1700 donc ils sont doublés dans chaque phase.
J'edit ce post pour les VRM dans la soirée
Edit :
Voici donc plus de détail sur les bases du fonctionnement des VRM et les différentes variations.
VRM = Voltage Regulation Module ou module régulateur de tension en français.
C'est donc le système qui contrôle la tension délivrée à un composant.
On s'en préoccupe surtout pour les CPU et GPU car ils sont les plus exigeants à alimenter. Tant par la quantité de puissance à fournir que pour les variations de courants à accommoder.
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Les VRM sont dans le principe (très) simplifié des alimentations à découpage capable d'abaisser la tension en découpant celle d'entrée en petites charges à l'aide d'un interrupteur et d'un condensateur. Ce découpage est nécessaire au fonctionnement et il n'est pas vraiment possible pour l'interrupteur de rester longtemps ouvert pour augmenter la quantité de courant qui passe.
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Plus la fréquence de découpage est élevée plus la charge à stocker dans le condensateur est réduite et plus on peut réduire sa taille et son coût. Idéalement, la fréquence est donc la plus élevée possible, mais les MOSFETs utilisés comme interrupteurs ont quand même besoin d'un peu de temps pour changer d'état.
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Deuxième limite, le courant que peut laisser passer un unique MOSFET est limité, car une partie de ce courant est perdue dans le MOSFET entrainant un échauffement. On voit régulièrement des MOSFETs aisément au-delà de 100~110°C par exemple.
Comme on ne peut ni faire passer trop de courant d'un coup ni laisser le MOSFET ouvert trop longtemps, ni pas assez, il faut ruser.
Pour ça, on va utiliser plusieurs phases fonctionnant chacune à leur tour. Ainsi, avec 4 phases, chacune d'entre elle peut fonctionner à sa fréquence normale, mais la fréquence apparente est quatre fois plus élevée. Également la chaleur à dissiper est divisé entre les 4 phases.
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En prenant la MSI H160 comme exemple elle dispose de 4 phases capables de fournir 2x55 A à leur régime maximum on obtient donc 440 A. Réglé à 1,2 V cela fait donc 528 W disponibles théoriquement.
Mais dans la pratique ces MOSFET ne sont capables de laisser circuler 55 A que s'ils sont refroidis à 25°C. Ce qui est irréaliste pour des MOSFETs montés proche les uns des autres dans un boitier. Dans la pratique à 35°C d'air ambiant dans le boitier, ce qui est déjà assez frais, la fiche technique donne 15 A disponible par MOSFET.
En refaisant le calcul on obtient 4x2x15=120 A, ou 144 W avec 1,2 V. Si la CM laissait la consommation du CPU et les VRM monter au-delà les températures pourrait devenir dangereuse. La MSI H610 limite donc à 110 W pour protéger le PC, en échange elle sacrifie les performances des CPU milieu ou haut de gamme.
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Maintenant que l'on arrive à fournir la quantité de courant appropriée, il faut répondre à la grande question : comment faire pour que les VRM fournissent la tension réclamée ?
En reprenant nos schémas que l'on a fortement dézoomés :
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Comment éviter que la tension parte dans un sens ou dans l'autre ?
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Il existe aujourd'hui deux grandes familles de contrôles, analogique ou numérique.
Dans un VRM analogique la tension de sortie du VRM est comparée à la tension de référence grâce à un transistor. Si la tension est trop faible le transistor va commander une augmentation du temps que les MOSFET passent ouverts à chacun de leurs cycles et ainsi la tension remonte.
Avec des bons composants un VRM analogique peut être très précis et très réactif aux variations de courant et de tensions réclamés par le CPU.
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Dans un VRM numérique un DAC mesure en permanence la tension de sortie du VRM et utilise un micro-contrôleur dédié pour ajuster les cycles des MOSFETs directement. Ainsi ce contrôleur peut utiliser des informations venant du CPU pour s'ajuster en direct, voir à l'avance, aux variations de puissance exigées.
La vie manque de raccourcis clavier.
Posté le: 20 août 2024 à 08:31
Merci pour ces explications très intéressantes, je n'en demandais pas tant.
Si j'ai bien compris tes explications, il y a 4 MOSFET "inactif" ou "inutile" sur la H610.
Si j'ai bien compris tes explications, il y a 4 MOSFET "inactif" ou "inutile" sur la H610.
0 pour,0
Posté le: 21 août 2024 à 10:10
Salutation
non pas du tout en fait il a bien 8 mosfet mais ils travaillent par pairs se qui nous fait 4 phases (4 tuyaux de courant pour schématisé).
En fait il sont trop petit (en solo) pour laisser passer suffisamment de courant et alimenter les composants derrière donc on les à doublé pour leurs répartir la charge en courant.
En électronique sa se fait souvent de doubler le même composant pour augmenté le courant admissible, sois par problématique de coût/fournisseur mais bien souvent de gain de place sur le circuit imprimé et pour les carctéristique technique du composant en question.
Dans le cas de mosfet une version "plus petite" encaisse moins de courant mais peu fonctionner plus rapidement.
-> Config : I7 4790k - 32Go DDR3 - 1080Ti - OS Win 10 Pro
-> NAS (home-made): Xeon 1220L v2 - 8Go DDR3 ECC - HDDs WD Red - OS OpenMediaVault
-> Serveur VM : Xeon E5450 (x2, Bi-CPU) 64 Go DDR2 ECC FB - OS Proxmox
| Algos a écrit: |
| Si j'ai bien compris tes explications, il y a 4 MOSFET "inactif" ou "inutile" sur la H610. |
non pas du tout en fait il a bien 8 mosfet mais ils travaillent par pairs se qui nous fait 4 phases (4 tuyaux de courant pour schématisé).
En fait il sont trop petit (en solo) pour laisser passer suffisamment de courant et alimenter les composants derrière donc on les à doublé pour leurs répartir la charge en courant.
En électronique sa se fait souvent de doubler le même composant pour augmenté le courant admissible, sois par problématique de coût/fournisseur mais bien souvent de gain de place sur le circuit imprimé et pour les carctéristique technique du composant en question.
Dans le cas de mosfet une version "plus petite" encaisse moins de courant mais peu fonctionner plus rapidement.
-> Config : I7 4790k - 32Go DDR3 - 1080Ti - OS Win 10 Pro
-> NAS (home-made): Xeon 1220L v2 - 8Go DDR3 ECC - HDDs WD Red - OS OpenMediaVault
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